中国在存储器领域的崛起正引发全球关注，其中长江存储的技术进展尤为突出，该公司推出新一代储存半导体堆叠层数约达270层，接近三星电子水平，让竞争对手惊叹没想到技术竟提升到这种程度。
日经新闻报道，在中美科技对抗持续升温的背景下，长江存储因受惠于国产半导体的政策，不仅加速技术突破，市占也首次迈入全球前列。
市占急升、直逼国际大厂据Counterpoint数据，长江存储今年第一季在全球NAND出货量市占率首次达到10%，第三季更年增4个百分点至13%，紧追位居全球第4的美国美光科技。 随着大陆品牌笔电与智能手机大量采用其NAND产品，全年市占率可望持续站稳一成以上。
目前长江存储在全球NAND销售额约占8%，但公司设定的目标在2026年底前拉高至15%。 随着武汉周边新厂区陆续投资完成，其产能将占全球供应量约20%，届时有机会超越日本铠侠，并直逼韩国SK海力士。
另一方面，在DRAM市场，中国的长鑫存储也展现扩张力道。 该公司今年第三季市占率达8%，位居全球第4，较2024年同期增加2个百分点; 在大陆本地市占率更高达40%。 不过，在高带宽记忆体（HBM）领域仍落后韩国厂商约五年，短期内难以撼动高端市场。
价格竞争力推动海外版图大陆存储器企业之所以能快速扩大版图，关键在于价格优势。 例如 NAND价格普遍比其他国家便宜1~2成。 然而，自2022年起美国将长江存储列为出口管制对象，日本企业也顾虑制裁风险未积极采用，使其海外发展受到一定阻力。
即使如此，国际半导体产业协会指出，大陆存储器厂的产品良率仍持续提升，若未来价差扩大，全球采用比例恐将势不可挡。
值得注意的是，韩国存储器厂虽高带宽记忆体（HBM）市场具有垄断优势，但其原料与设备高度依赖海外，且在混合键结等核心技术上缺乏关键专利，可能面临专利诉讼风险。 相较之下，中国在相关专利上快速追赶，三星已与长江存储签署专利授权协议，意味着中国在全球存储器专利版图上的影响力正逐步提升。
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